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    2SK2933 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2933图片预览
    型号： 2SK2933
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    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 晶体开关晶体管脉冲电源开关局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 53 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK2933的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK2933  
    Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
    Item  
    Symbol  
    VDSS  
    Ratings  
    Unit  
    V
    Drain to source voltage  
    Gate to source voltage  
    Drain current  
    60  
    VGSS  
    ID  
    ±20  
    V
    15  
    A
    Note1  
    Drain peak current  
    ID(pulse)  
    60  
    A
    Body-drain diode reverse drain current IDR  
    15  
    A
    Note3  
    Note3  
    Avalanche current  
    Avalanche energy  
    Channel dissipation  
    Channel temperature  
    Storage temperature  
    IAP  
    15  
    A
    EAR  
    19  
    mJ  
    W
    °C  
    °C  
    Pch Note2  
    25  
    Tch  
    150  
    Tstg  
    –55 to +150  
    Note: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %  
    2. Value at Ta = 25°C  
    3. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω  
    2

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