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2SD1163 参数 Datasheet PDF下载

2SD1163图片预览
型号: 2SD1163
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内容描述: 硅NPN三重扩散 [Silicon NPN Triple Diffused]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 35 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SD1163, 2SD1163A  
Maximum Collector Dissipation  
Curve  
Area of Safe Operation  
(40 V, 20 A)  
60  
40  
20  
50  
30  
10  
3
1.0  
(120 V, 0.9 A)  
(150 V, 0.5 A)  
0.3  
2SD1163  
2SD1163A  
0.01  
(350 V, 5 mA)  
10  
30  
100  
300  
1,000  
0
50  
100  
150  
Collector to emitter voltage VCE (V)  
Case temperature TC (°C)  
DC Current Transfer Ratio  
vs. Collector Current  
Typical Output Characteristics  
TC = 25°C  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
500  
12  
10  
VCE = 5 V  
200  
100  
50  
8
TC = 75°C  
25°C  
6
4
–25°C  
20  
10  
5
2 mA  
IB = 0  
0
2
4
6
8
10  
0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
5
10  
Collector to emitter voltage VCE (V)  
Collector current IC (A)  
3