2SB562BTZ 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB562BTZ
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内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92MOD, 3 PIN]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 33 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB562

Maximum Collector Dissipation Curve

1.2

Collector Power Dissipation P

(W)

Typical Output Characteristics

–1,000

Collector Current I

(mA)

–8

–7

–6

–5

–4

–400

–3

–2

–200

–1 mA

= 0

100

150

Ambient Temperature Ta (°C)

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6 –2.0

Collector Emitter Voltage V

(V)

–800

0.8

–600

0.4

Typical Transfer Characteristics

–1,000

Collector Current I

(mA)

–300

–100

–30

–10

–3

–1

= –2 V

DC Current Transfer Ratio h

3,000

1,000

DC Current Transfer Ratio vs.Collector Current

= –2 V

Pulse

300

100

Ta = 75°C

25°C

Ta = 75°C

25°C

–1

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8 –1.0

Base to Emitter Voltage V

(V)

–3

–10

–30

–100 –300

Collector Current I

(mA)

–1,000

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