2SB1027 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1027
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	PNP硅外延 [Silicon PNP Epitaxial]
分类和应用：	晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 33 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB1027

Collector to Emitter Saturation Voltage vs.

Collector Current

Collector to Emitter Saturation Voltage

CE (sat)

(V)

–10

Gain Bandwidth Product f

(MHz)

= 10 I

Pulse

1,000

= –5 V

Pulse

300

Gain Bandwidth Product vs.

Collector Current

–1.0

100

–0.1

–0.01

–1

–10

–100

Collector Current I

(mA)

–1,000

–10

–30

–100

–300

Collector Current I

(mA)

–1,000

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

Collector Output Capacitance C

(pF)

100

f = 1 MHz

= 0

–1

–3

–10

–30

–100

Collector to Base Voltage V

(V)

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案