2SB1002CJTL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1002CJTL
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内容描述：	[Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, UPAK-3]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 34 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SB1002

Maximum Collector Dissipation Curve

1.2

Collector Power Dissipation P

(W)

(on the alumina ceramic board)

Typical Output Characteristics

–100

–0.4

Collector Current I

(mA)

–80

–0.4

–0.35

–0.3

0.8

–60

–0.25

–0.2

–40

–0.15

0.4

–0.1

–20

–0.05 mA

= 0

100

150

Ambient Temperature Ta (°C)

–2

–4

–6

–8

–10

Collector to Emitter Voltage V

(V)

Typical Output Characteristics

–2.0

–5

–4

–30

–20

Typical Transfer Characteristics

–1,000

Collector Current I

(mA)

–300

–100

–30

–10

–3

–1

–0.6

–0.8

–1.0

–0.2

–0.4

Base to Emitter Voltage V

(V)

= –2 V

Collector Current I

(A)

–1.6

–1.2

–10

–0.8

–0.4

= 0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

Collector to Emitter Voltage V

(V)

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