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    HS9-82C37ARH/SAMPLE 参数 Datasheet PDF下载

    HS9-82C37ARH/SAMPLE图片预览
    型号： HS9-82C37ARH/SAMPLE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 抗辐射CMOS高性能可编程DMA控制器 [Radiation Hardened CMOS High Performance Programmable DMA Controller]
    分类和应用： 控制器
    文件页数/大小： 28 页 / 256 K
    品牌： HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
     浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HS9-82C37ARH/SAMPLE的Datasheet PDF文件第11页  
    特定网络阳离子HS- 82C37ARH
    表2. AC电气性能特性（续）
    VCC = 5V +
    ±10%,
    GND = 0V ， AC的测试，在最坏情况VDD ，保证在整个工作范围内。
    范围
    参数
    符号
    （注1,2 ）
    条件
    温度
    小组
    民
    最大
    单位
    DMA （主）模式（续）
    DB浮动从主动延迟
    CLK高
    HLDA有效到CLK为高电平设置
    时间
    从MEMR高输入数据
    保持时间
    输入数据MEMR高
    建立时间
    从MEMW高输出数据
    保持时间
    输出数据有效到MEMW
    高
    DREQ到CLK的低电平（SI， S4）
    建立时间
    CLK低就绪保持时间
    TCHDV
    VDD = 4.5V
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    9, 10, 11
    -
    110
    ns
    TRAVCH
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    75
    -
    ns
    TMRHDX
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    0
    ns
    TDVMRH
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    155
    ns
    TMWHDZ
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    15
    ns
    TDVMWH
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    TCLCL-
    35
    0
    -
    ns
    TDQVCL
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    ns
    TCLRYX
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    20
    -
    ns
    准备CLK低设置
    时间
    ADSTB HIGH从CLK低
    延迟时间
    ADSTB LOW从CLK低
    延迟时间
    读取写入延迟高
    高
    读取脉冲宽度，正常
    定时
    ADSTB脉冲宽度
    TRYVCL
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    60
    -
    ns
    tclsh的
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    80
    ns
    tCLSL
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    120
    ns
    tWHRH
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    0
    -
    ns
    TRLRH1
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    2TCLCL
    -50
    TCLCL -
    80
    2TCLCL
    -100
    TCLCL -
    100
    TCLCL -
    50
    -
    ns
    tSHSL
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    ns
    扩展写入脉冲宽度
    TWLWH1
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    ns
    把脉冲宽度
    TWLWH2
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    ns
    读取脉冲宽度，
    压缩
    外围设备（ SLAVE ）模式
    ADR有效或CS低到IOR
    低
    ADR有效或CS低到IOW
    LOW建立时间0
    数据有效到IOW HIGH设置
    时间
    TRLRH2
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    -
    ns
    TAVIRL
    VDD = 4.5V
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    +25
    o
    C, +125
    o
    C,
    -55
    o
    C
    9, 10, 11
    10
    -
    ns
    tAVIWL
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    0
    -
    ns
    tDVIWH
    VDD = 4.5V
    9, 10, 11
    150
    -
    ns
    规格编号
    7
    518058

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