特定网络阳离子HS- 82C37ARH
绝对最大额定值
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 6.5V
输入或输出电压的应用。 。 。 。 。 。 。 .VSS - 0.3V至VDD + 0.3V
对于所有等级
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
典型的降额因子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在IDDOP 4毫安/ MHz的增加
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
38
5
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
72
o
C / W
10
o
C / W
在125的最大封装功耗
o
C环境
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.32W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.69W
如果设备功率超过封装散热能力，提供热
下沉或线性降额从以下速率：
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .26.3mW / C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .13.9mW / C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
工作条件
工作电源电压范围（ VDD ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
工作温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .0V至+ 0.8V
输入高电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 VDD -1.5V到VDD
表1. DC电性能等特点
范围
参数
TTL输出高电压
符号
VOH1
条件
VDD = 4.5V ， IO = -2.5mA ，
VIN = 0V或4.0V
VDD = 4.5V ， IO = -100μA ，
VIN = 0V或4.0V
VDD = 4.5V ， IO = + 2.5毫安，
VIN = 0V或4.0V
VDD = 5.5V ， VIN = 0V或
5.5V的引脚： 6 ， 7 ， 11-13 ， 16-19
VDD = 5.5V ， VIN = 0V或
5.5V的引脚：1-4 ， 21-23 ， 26-
30, 32-40
VDD = 5.5V ， IO = 0毫安，
VIN = GND或VDD
VDD = 5.5V ， IO = 0毫安，
VIN = GND或VDD ，
F = 5MHz时
VDD = 4.5V和5.5V ，
VIN = GND或VDD ，
F = 1MHz的
VDD = 4.5V和5.5V ， VIN =
GND或VDD - 1.5V和
VDD = 4.5V ， VIN = 0.8V或
VDD
A组
小组
1, 2, 3
温度
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
民
3.0
最大
-
单位
V
CMOS输出高电压
AGE
输出低电压
VOH2
1, 2, 3
VDD-
0.4
-
-
V
VOL1
1, 2, 3
0.4
V
输入漏电流
IIL和IIH
1, 2, 3
-1.0
1.0
µA
µA
输出漏电流
IOZL或
IOZH
1, 2, 3
-10
10
备用电源
当前
工作电源
当前
IDDSB
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
-
+50
µA
IDDOP
1, 2, 3
-
20
mA
功能测试
FT
7，图8A ，8B
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
-
-
-
噪声免疫功能
TEST
FN
7，图8A ，8B
+25
o
C, +125
o
C,
-55
o
C
-
-
-
规格编号
5
518058
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
