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    HGTP3N60C3D 参数 Datasheet PDF下载

    HGTP3N60C3D图片预览
    型号： HGTP3N60C3D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 6A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 [6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 7 页 / 331 K
    品牌： HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
     浏览型号HGTP3N60C3D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HGTP3N60C3D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HGTP3N60C3D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HGTP3N60C3D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HGTP3N60C3D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HGTP3N60C3D的Datasheet PDF文件第7页  
    HGTP3N60C3D ， HGT1S3N60C3D ， HGT1S3N60C3DS
    典型性能曲线
    200
    f
    最大
    ，工作频率（千赫）
    （续）
    T
    J
    = 150
    o
    C，T
    C
    = 75
    o
    C
    R
    G
    = 82Ω ， L = 1MH
    I
    CE
    ，集电极 - 发射极电流（A ）
    20
    18
    16
    14
    12
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    T
    J
    = 150
    o
    C，V
    GE
    = 15V ，R
    G
    = 82Ω ， L = 1MH
    100
    f
    MAX1
    = 0.05/(t
    D（ OFF ）I
    + t
    D（ ON ）I
    )
    f
    MAX2
    = (P
    D
    - P
    C
    )/(E
    ON
    + E
    关闭
    )
    P
    D
    =允许功耗
    P
    C
    =传导耗散
    （占空比= 50％）
    10
    R
    θ
    JC
    = 3.75
    o
    C / W
    1
    2
    3
    V
    GE
    = 15V
    V
    GE
    = 10V
    4
    5
    6
    I
    CE
    ，集电极 - 发射极电流（A ）
    100
    200
    300
    400
    500
    600
    V
    CE （ PK ）
    ，集电极 - 发射极电压（V ）
    图13.操作频率的函数
    集电极 - 发射极电流
    图14.最小开关安全工作区
    频率= 1MHz的
    400
    C，电容（pF ）
    C
    IES
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（ V）
    500
    600
    15
    V
    GE
    ，门极 - 发射极电压（ V）
    480
    12
    300
    360
    V
    CE
    = 600V
    240
    V
    CE
    = 400V
    V
    CE
    = 200V
    I
    G
    REF = 1.060毫安
    R
    L
    = 200Ω
    T
    C
    = 25
    o
    C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    Q
    G
    ，栅极电荷（ NC）
    12
    9
    200
    C
    OES
    C
    水库
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（V ）
    6
    100
    120
    3
    0
    0
    14
    图15.电容来集电极的功能
    发射极电压
    图16.门充电波形
    Z
    θ
    JC
    归一化热响应
    10
    0
    0.5
    0.2
    10
    -1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    10
    -2
    10
    -5
    10
    -4
    10
    -3
    10
    -2
    10
    -1
    t
    1
    ，矩形脉冲持续时间（ S）
    10
    0
    10
    1
    P
    D
    t
    2
    DUTY因子，D = T
    1
    / t
    2
    PEAK牛逼
    J
    = (P
    D
    X Z
    θ
    JC
    个R
    θ
    JC
    ) + T
    C
    t
    1
    图17. IGBT归一化瞬态热阻抗，结到管壳
    3-13

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