HGTP3N60C3D ， HGT1S3N60C3D ， HGT1S3N60C3DS
电气连接特定的阳离子
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
符号
BV
CES
I
CES
测试条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= BV
CES
V
CE
= BV
CES
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
I
C
= I
C110
,
V
GE
= 15V
I
C
= 250µA,
V
CE
= V
GE
V
GE
=
±25V
T
J
= 150
o
C
R
G
= 82Ω
V
GE
= 15V
L = 1MH
V
CE （ PK ）
= 480V
V
CE （ PK ）
= 600V
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 150
o
C
T
C
= 25
o
C
民
600
-
-
-
-
3.0
典型值
-
-
-
1.65
1.85
5.5
最大
-
250
2.0
2.0
2.2
6.0
±250
-
-
单位
V
µA
mA
V
V
V
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE （日）
I
GES
SSOA
栅极 - 发射极漏电流
开关SOA
-
18
2
-
-
-
nA
A
A
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
V
GEP
Q
G（ ON）的
I
C
= I
C110
, V
CE
= 0.5 BV
CES
IC = IC110 ，
VCE = 0.5 BVCES
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8.3
10.8
13.8
5
10
325
130
85
245
2.0
22
17
-
-
-
13.5
17.3
-
-
400
275
-
-
2.5
28
22
3.75
3.0
V
nC
nC
ns
ns
ns
ns
µJ
µJ
V
ns
ns
o
C / W
o
C / W
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量
关断能量（注3 ）
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
t
D（ ON ）I
t
RI
t
D（ OFF ）I
t
FI
E
ON
E
关闭
V
EC
t
RR
T
J
= 150
o
C
I
CE
= I
C110
V
CE （ PK ）
= 0.8 BV
CES
V
GE
= 15V
R
G
= 82Ω
L = 1MH
I
EC
= 3A
I
EC
= 3A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
-
-
-
-
-
热阻
R
θJC
IGBT
二极管
注意：
3.开启，关闭能源损耗（E
关闭
）是德音响定义为瞬时功率损耗的积分起始于输入脉冲的后沿与
在其中的集电极电流等于零（我的点结束
CE
= 0A ） 。该HGTP3N60C3D ， HGT1S3N60C3D和HGT1S3N60C3DS
对于功率器件关断开关损耗测量根据JEDEC标准24-1号方法进行了测试。该测试方法产生
真正的总导通关的能量损失。导通损耗包括二极管损耗。
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
3-10
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
