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CD22100F 参数 Datasheet PDF下载

CD22100F图片预览
型号: CD22100F
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内容描述: CMOS 4 ×4交叉点开关与控制存储器高电压型( 20V额定值) [CMOS 4 x 4 Crosspoint Switch with Control Memory High-Voltage Type (20V Rating)]
分类和应用: 存储开关
文件页数/大小: 10 页 / 109 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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CD22100
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
(续)
测试条件
参数
最小建立时间
数据进行选通,地址
符号图
t
S
8, 10
f
IS
(千赫)
R
L
(kΩ)
V
IS
(V)
(注3)
V
DD
(V)
5
10
15
最小保持时间
数据进行选通,地址
t
H
8, 10
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
8
5
10
15
最大开关频率
f
Ø
5
10
15
最小选通脉冲宽度
t
W
5
10
15
控制串扰,数据输入,
地址或选通输出
6
-
输入电容
注意:
C
IN
方波输入;
t
R
, t
F
= 20ns的
10
任何控制输入
10
-
-
5
7.5
pF
10
-
-
-
-
-
-
0.6
1.6
2.5
-
-
-
-
典型值
95
25
15
180
110
35
1.2
3.2
5
300
120
90
75
最大
190
50
30
360
220
70
-
-
-
600
240
180
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
mV
PEAK
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
V DD
3.峰 - 峰值电压对称
------------
.
-
2
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