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CD22100F 参数 Datasheet PDF下载

CD22100F图片预览
型号: CD22100F
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内容描述: CMOS 4 ×4交叉点开关与控制存储器高电压型( 20V额定值) [CMOS 4 x 4 Crosspoint Switch with Control Memory High-Voltage Type (20V Rating)]
分类和应用: 存储开关
文件页数/大小: 10 页 / 109 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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CD22100
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
测试条件
参数
动态交叉点
传播延迟时间,
(开关)信号输入
产量
t
PHL
, t
PLH
5
-
10
5
10
15
C
L
= 50pF的;吨
R
, t
F
= 20ns的
频率响应(任何
开关ON )
f
3dB
16
1
1
5
10
-
40
-
兆赫
5
10
15
-
-
-
30
15
10
60
30
20
ns
ns
ns
符号图
f
IS
(千赫)
R
L
(kΩ)
V
IS
(V)
(注3)
V
DD
(V)
典型值
最大
单位
V
OS
正弦波输入, 20日志
----------- =
-3dB
-
V
IS
THD
F
DT
1
1.6
1
1
5
5
10
10
-
-
0.5
-80
-
-
%
dB
正弦波响应
(失真)
穿心(所有开关OFF)
正弦波输入
频率信号串扰
40dB的衰减,衰减
110分贝衰减
电容:
XN到地面
YN对地
穿心
动态控件
传播延迟时间:
选通输出
(开关导通到高
级)
传播延迟时间:
数据输入到输出
(导通高电平)
传播延迟时间:
地址输出
(导通高电平)
传播延迟时间:
选通输出
(开关关闭)
传播延迟时间:
数据输入到输出
(导通为低电平)
传播延迟时间:
地址输出
(关断)
t
PHZ
10
t
PZL
9
t
PHZ
8
t
PZH
10
t
PZH
9
t
PZH
8
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
R
L
= 1kΩ,
C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
125
80
110
40
25
350
135
90
165
85
70
210
110
100
435
210
160
600
250
160
220
80
50
700
270
180
330
170
140
420
220
200
870
420
320
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
C
IOS
C
IS
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5 - 15
5 - 15
-
-
-
-
18
30
0.4
-
-
-
pF
pF
pF
-
F
CT
7
-
1
10
10
-
-
-
1.5
0.1
-
-
兆赫
千赫
正弦波输入
-
-
4-186