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GI405 参数 Datasheet PDF下载

GI405图片预览
型号: GI405
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 253 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2006/12/06
修订日期:
电气特性( TJ = 25 :除非另有说明)
参数
漏源击穿电压
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ = 55 : )
符号
BV
DSS
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
分钟。
-30
-1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
17
-
-
-
-
-
18.7
2.54
5.4
9
25
20
12
920
190
122
马克斯。
-
-2.4
-
±100
-1
-5
32
60
23
-
-
13
-
-
-
1100
-
-
单位
V
V
S
nA
uA
uA
m
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ,我
D
=-18A
V
GS
= ±20V
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
=0
V
GS
= -10V ,我
D
=-18A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-10A
I
D
=-18A
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
R
G
=3
R
L
=0.82
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
静态漏源导通电阻
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
nC
ns
pF
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
3
连续源电流(
体二极管
)
符号
V
SD
I
S
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
21.4
13
马克斯。
-1.0
-18
-
-
单位
V
A
ns
nC
测试条件
I
S
= -1A ,V
GS
=0V
V
D
= V
G
=0V, V
S
=-1.0V
I
S
= -18A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
反向恢复时间
3
反向恢复电荷
注意事项: 1,脉冲宽度有限的安全工作区。
2.凝视TJ = 25 : ,V
DD
= 25V ,L = 0.1mH ,R
G
=25 .
3.脉冲宽度300US ,占空比2%。
G
I
405
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