无铅电镀产品
颁发日期： 2006/12/06
修订日期：
G
I
405
P沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
32m
-18A
描述
对G
I
405采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻，低栅极电荷和低门
性。
通孔版（TO- 251 ）是可用于低轮廓的应用和适合于高电流负载
应用程序。
*简单的驱动要求
*低导通电阻
*快速开关特性
特点
包装尺寸
TO-251
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
6.40
6.80
5.20
5.50
6.80
7.20
7.20
7.80
2.30 REF 。
0.60
0.90
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
0.50
0.70
2.20
2.40
0.45
0.55
0.45
0.60
0.90
1.50
5.40
5.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
E
AS
I
AS
TJ ， TSTG
评级
-30
±20
-18
-14
-40
60
0.4
61
-35
-55 ~ +175
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
mJ
A
:
单脉冲雪崩电流
工作结存储温度范围
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
2.5
50
单位
:
/W
: /W
G
I
405
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GTM [ GTM CORPORATION ]
