GE02N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GE02N60
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 248 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

颁发日期： 2005年1月27日

修改日期： 2005/12 / 12B

特性曲线

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

图4.归一导通电阻

V.S.结温

图5.最大漏极电流

V.S.外壳温度

GE02N60

图6.输入功率耗散

页页次：3/5

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9