无铅电镀产品
颁发日期： 2005年1月27日
修改日期： 2005/12 / 12B
GE02N60
N沟道增强型功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
9
2A
描述
该GE02N60提供设计师与快速切换的最佳组合。
该TO- 220包装普遍首选的所有商业工业应用。该装置适合于
DC-DC ， DC - AC转换器用于通信，工业和消费环境。
*动态的dv / dt额定值
*简单的驱动要求
*额定重复性雪崩
*快速切换
特点
包装尺寸
REF 。
A
b
c
D
E
L4
L5
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.80
0.76
1.00
0.36
0.50
8.60
9.00
9.80
10.4
14.7
15.3
6.20
6.60
REF 。
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
毫米
分钟。
马克斯。
1.25
1.45
1.17
1.47
13.25
14.25
2.54 REF 。
2.60
2.89
3.71
3.96
2.60
2.80
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@10V
连续漏电流， V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25 :
I
D
@T
C
=100 :
I
DM
P
D
@T
C
=25 :
E
AS
I
AR
E
AR
TJ ， TSTG
评级
600
±20
2
1.26
6
39
0.31
200
2
2
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W/ :
mJ
A
mJ
:
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结存储温度范围
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
符号
Rthj -C
Rthj -A
价值
3.2
62
单位
:
/W
: /W
GE02N60
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GTM [ GTM CORPORATION ]
