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G2U9972 参数 Datasheet PDF下载

G2U9972图片预览
型号: G2U9972
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 299 K
品牌: GTM [ GTM CORPORATION ]
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颁发日期: 2005/07/05
修订日期:
电气特性( TJ = 25
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
除非另有规定编)
分钟。
60
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.06
-
55
-
-
-
-
-
32
8
20
11
58
45
80
3170
280
230
1.7
马克斯。
-
-
3.0
-
D
100
10
25
18
22
51
-
-
-
-
-
-
5070
-
-
-
pF
S
nA
Ł
ns
nC
单位
V
V/ :
V
S
nA
uA
uA
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250uA
参考25 :我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=35A
25V
V
GS
= D
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0
V
GS
= 10V ,我
D
=35A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=25A
I
D
=35A
V
DS
=48V
V
GS
=4.5V
V
DS
=30V
I
D
=35A
V
GS
=10V
R
G
=3.3 Ł
R
D
=0.86 Ł
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
符号
BV
DSS
BV
DSS
/
Tj
栅极阈值电压
正向跨导
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流( TJ = 25 : )
漏极 - 源极漏电流( TJ =
150 :
)
V
GS ( TH)
g
fs
I
GSS
I
DSS
静态漏源导通电阻
3
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( “米勒” )变更
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
R
DS ( ON)
Q
g
Q
gs
Q
gd
T
D(上)
T
r
T
D(关闭)
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
源极 - 漏极二极管
参数
正向电压上
3
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
SD
T
rr
Q
rr
分钟。
-
-
-
典型值。
-
50
48
马克斯。
1.2
-
-
单位
V
ns
nC
测试条件
I
S
= 35A ,V
GS
=0V
I
S
= 35A ,V
GS
=0V
的di / dt = 100A / S
注意事项: 1,脉冲宽度有限的最大结温。
2.凝视TJ = 25 : ,V
DD
= 30V , L = 1MH ,R
G
=25 Ł , I
AS
=30A.
3.脉冲宽度300US ,占空比2%。
G2U9972
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