G2U9972 参数 Datasheet PDF下载

型号：	G2U9972
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 299 K
品牌：	GTM [ GTM CORPORATION ]

无铅电镀产品

颁发日期： 2005/07/05

修订日期：

G2U9972

N沟道增强型功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

60V

18m

60A

该G2U9972提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计，低的最佳组合

导通电阻和成本效益。

在TO- 262封装普遍首选的所有商业工业应用和适合于低

电压应用，如DC / DC转换器。

描述

特点

*简单的驱动要求

*低栅极电荷

包装尺寸

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.40

4.80

0.76

1.00

0.36

0.50

8.60

9.00

9.80

10.4

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

1.25

1.45

1.17

1.47

13.25

14.25

2.54 REF 。

1.27 REF 。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@10V

连续漏电流， V

@10V

漏电流脉冲

总功耗

线性降额因子

雪崩电流

工作结存储温度范围

符号

=25 :

=100 :

=25 :

TJ ， TSTG

评级

f 25

230

0.7

-55 ~ +150

单位

热数据

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

符号

Rthj -C

Rthj -A

价值

1.4

单位

G2U9972

页次： 1/4

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