GS74104TP-12I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GS74104TP-12I
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内容描述：	1M ×4 4Mb的异步SRAM [1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 410 K
品牌：	GSI [ GSI TECHNOLOGY ]

GS74104TP/J

电源电流

参数

符号

测试条件

≤

所有其它输入

≥

≤

分钟。周期

OUT

= 0毫安

≥

所有其它输入

≥

≤V

分钟。周期

≥

- 0.2V

所有其它输入

≥

- 0.2V或

≤

0.2V

0至70℃

8纳秒

10纳秒

12纳秒

15纳秒

10纳秒

-40到85°C

12纳秒

15纳秒

操作

供应

当前

（最大）

150毫安

125毫安

110毫安

90毫安

135毫安

120毫安

百毫安

待机

当前

SB1

（最大）

70毫安

65毫安

60毫安

55毫安

75毫安

70毫安

65毫安

待机

当前

SB2

（最大）

30毫安

40毫安

AC测试条件

参数

输入高电平

输入低电平

输入上升时间

输入下降时间

输入参考电平

输出参考电平

输出负载

条件

= 2.4 V

= 0.4 V

TR = 1 V / ns的

TF = 1 V / ns的

1.4 V

图。 1& 2

输出负载1

50Ω

VT = 1.4 V

30pF

输出负载2

3.3 V

5pF

589Ω

434Ω

注意：

1.包括范围和夹具电容。

2.测试条件与输出负载指定所示

图。 1

除非另有说明。

3.输出负载2吨

, t

OLZ

和T

OHZ

冯： 1.07 1/2001

5/12

规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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