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    GS74104TP-12I 参数 Datasheet PDF下载

    GS74104TP-12I图片预览
    型号： GS74104TP-12I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1M ×4 4Mb的异步SRAM [1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 410 K
    品牌： GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
     浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GS74104TP-12I的Datasheet PDF文件第9页  
    GS74104TP/J
    电容
    参数
    输入电容
    输出电容
    符号
    C
    IN
    C
    OUT
    测试条件
    V
    IN
    = 0 V
    V
    OUT
    = 0 V
    最大
    5
    7
    单位
    pF
    pF
    注意事项：
    1.测试在T
    A
    = 25 ° C，F = 1兆赫
    2.这些参数进行采样和不是100 ％测试。
    DC I / O引脚特性
    参数
    输入漏
    当前
    输出漏
    当前
    输出高电压
    输出低电压
    符号
    I
    IL
    I
    LO
    V
    OH
    V
    OL
    测试条件
    V
    IN
    = 0至V
    DD
    输出高Z
    V
    OUT
    = 0至V
    DD
    I
    OH
    = -4mA
    I
    LO
    = + 4毫安
    民
    - 1微安
    -1微安
    2.4
    —
    最大
    1微安
    1微安
    —
    0.4 V
    冯： 1.07 1/2001
    4/12
    ©1999 ，千兆半导体公司
    规格援引如有更改，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.gsitechnology.com 。

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