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GS882ZV36BB-300I 参数 Datasheet PDF下载

GS882ZV36BB-300I图片预览
型号: GS882ZV36BB-300I
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内容描述: 9MB流水线和流量通过同步NBT SRAM [9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 33 页 / 885 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS882ZV18/36BB/D-333/300/250/200  
Operating Currents  
-333  
-300  
-250  
-200  
0
to  
40  
0
to  
40  
0
to  
40  
0
to  
40  
Parameter  
Test Conditions  
Mode  
Symbol  
Unit  
to  
to  
to  
to  
70°C 85°C 70°C 85°C 70°C 85°C 70°C 85°C  
IDD  
250  
25  
270  
25  
230  
20  
250  
20  
200  
20  
220  
20  
170  
15  
190  
15  
Pipeline  
mA  
mA  
mA  
mA  
IDDQ  
(x32/  
x36)  
IDD  
Flow  
Through  
205  
15  
225  
15  
185  
15  
205  
15  
160  
15  
180  
15  
140  
15  
160  
15  
Device Selected;  
All other inputs  
VIH or VIL  
IDDQ  
Operating  
Current  
IDD  
230  
15  
250  
15  
210  
15  
230  
15  
185  
10  
205  
10  
155  
10  
175  
10  
Pipeline  
Output open  
IDDQ  
(x18)  
IDD  
Flow  
Through  
185  
10  
205  
10  
170  
10  
190  
10  
145  
10  
165  
10  
130  
10  
150  
10  
IDDQ  
ISB  
ISB  
IDD  
IDD  
Pipeline  
40  
40  
95  
60  
50  
50  
40  
40  
90  
60  
50  
50  
95  
65  
40  
40  
85  
60  
50  
50  
90  
65  
40  
40  
75  
50  
50  
50  
80  
55  
mA  
mA  
mA  
mA  
Standby  
Current  
ZZ VDD – 0.2 V  
Flow  
Through  
Pipeline  
100  
65  
Device Deselected;  
All other inputs  
VIH or VIL  
Deselect  
Current  
Flow  
Through  
Notes:  
1.  
2. All parameters listed are worst case scenario.  
I
and I  
apply to any combination of V and V  
operation.  
DDQ  
DD  
DDQ  
DD  
Rev: 1.03 3/2005  
17/33  
© 2004, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
NoBL is a trademark of Cypress Semiconductor Corp.. NtRAM is a trademark of Samsung Electronics Co.. ZBT is a trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
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