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GS88018AT-225 参数 Datasheet PDF下载

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型号: GS88018AT-225
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内容描述: 512K ×18 , 256K ×32 , 256K ×36 9MB同步突发静态存储器 [512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 26 页 / 734 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS88018/32/36AT-250/225/200/166/150/133  
AC Test Conditions  
Parameter  
Conditions  
V
– 0.2 V  
Input high level  
Input low level  
DD  
0.2 V  
1 V/ns  
/2  
Input slew rate  
V
Input reference level  
DD  
V
/2  
Output reference level  
Output load  
DDQ  
Fig. 1  
Notes:  
1. Include scope and jig capacitance.  
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1  
unless otherwise noted.  
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.  
Output Load 1  
DQ  
*
50Ω  
30pF  
V
DDQ/2  
* Distributed Test Jig Capacitance  
DC Electrical Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Input Leakage Current  
(except mode pins)  
I
V = 0 to V  
IN DD  
1 uA  
1 uA  
IL  
V
V V  
IN  
1 uA  
1 uA  
1 uA  
100 uA  
DD  
IH  
IH  
I
I
ZZ Input Current  
FT Input Current  
IN1  
IN2  
0 V V V  
IN  
V
V V  
IN  
100 uA  
1 uA  
1 uA  
1 uA  
DD  
IL  
IL  
0 V V V  
IN  
I
Output Disable, V  
= 0 to V  
DD  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
1 uA  
1.7 V  
2.4 V  
1 uA  
OL  
OUT  
DDQ  
DDQ  
V
V
I
I
= 8 mA, V  
= 8 mA, V  
= 2.375 V  
= 3.135 V  
OH2  
OH3  
OH  
OH  
V
I
= 8 mA  
OL  
0.4 V  
OL  
Rev: 1.02 9/2002  
14/26  
© 2001, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.