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GS82032AGT-166 参数 Datasheet PDF下载

GS82032AGT-166图片预览
型号: GS82032AGT-166
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内容描述: 64K ×32的2Mb同步突发SRAM [64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 579 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS82032AT-180/166/150/133/100/66/4/5/6  
DC Electrical Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Input Leakage Current  
(except mode pins)  
I
V = 0 to V  
IN DD  
–1 uA  
1 uA  
IL  
V
V V  
–1 uA  
–1 uA  
1 uA  
300 uA  
DD  
IN  
IH  
IH  
I
ZZ Input Current  
INZZ  
0V V V  
IN  
V
V V  
–300 uA  
–1 uA  
1 uA  
1 uA  
DD  
IN  
IL  
IL  
I
Mode Pin Input Current  
Output Leakage Current  
INM  
0V V V  
IN  
Output Disable,  
V
I
–1 uA  
1 uA  
OL  
= 0 to V  
OUT  
DD  
V
I
I
= –4 mA, V  
= –4 mA, V  
= 2.375 V  
Output High Voltage  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
1.7 V  
2.4 V  
OH  
OH  
OH  
DDQ  
DDQ  
V
= 3.135 V  
OH  
V
I
= 4 mA  
OL  
0.4 V  
OL  
Rev: 1.12 10/2004  
12/22  
© 2000, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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