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GS82032AGT-166 参数 Datasheet PDF下载

GS82032AGT-166图片预览
型号: GS82032AGT-166
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内容描述: 64K ×32的2Mb同步突发SRAM [64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 579 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS82032AT-180/166/150/133/100/66/4/5/6  
Undershoot Measurement and Timing  
Overshoot Measurement and Timing  
V
IH  
20% tKC  
V
+- 2.0 V  
DD  
V
SS  
50%  
50%  
V
DD  
V
– 2.0 V  
SS  
20% tKC  
V
IL  
Capacitance  
(T = 25°C, f = 1 MHZ, V = 3.3 V)  
A
DD  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
Typ.  
Max.  
Unit  
C
V
= 3.3 V  
= 0 V  
Control Input Capacitance  
Input Capacitance  
3
4
6
4
5
7
pF  
pF  
pF  
I
DD  
C
V
IN  
IN  
C
V
= 0 V  
OUT  
Output Capacitance  
OUT  
Note:  
This parameter is sample tested.  
AC Test Conditions  
Parameter  
Conditions  
Input high level  
Input low level  
2.3 V  
0.2 V  
Input slew rate  
1 V/ns  
1.25 V  
1.25 V  
Fig. 1& 2  
Input reference level  
Output reference level  
Output load  
Notes:  
1. Include scope and jig capacitance.  
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1 unless otherwise noted.  
3. Output Load 2 for t , t , t and t  
LZ HZ OLZ  
OHZ  
4. Device is deselected as defined by the Truth Table.  
Output Load 2  
2.5 V  
Output Load 1  
DQ  
225Ω  
225Ω  
DQ  
*
50Ω  
VT = 1.25 V  
30pF  
*
5pF  
* Distributed Test Jig Capacitance  
Rev: 1.12 10/2004  
11/22  
© 2000, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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