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GS8161Z36BT-200 参数 Datasheet PDF下载

GS8161Z36BT-200图片预览
型号: GS8161Z36BT-200
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内容描述: 18MB流水线和流量通过同步NBT SRAM [18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 37 页 / 867 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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Preliminary  
GS8161Z18B(T/D)/GS8161Z32B(D)/GS8161Z36B(T/D)  
Operating Currents  
-250  
-200  
-150  
0
to  
40  
to  
0
to  
40  
to  
0
to  
40  
to  
Parameter  
Test Conditions  
Mode  
Symbol  
Unit  
70°C  
85°C  
70°C  
85°C  
70°C  
85°C  
IDD  
290  
40  
300  
40  
240  
30  
250  
30  
190  
20  
200  
20  
Pipeline  
mA  
mA  
mA  
mA  
IDDQ  
(x32/  
x36)  
IDD  
220  
20  
230  
20  
190  
15  
200  
15  
175  
15  
185  
15  
Device Selected;  
All other inputs  
VIH or VIL  
Flow Through  
Pipeline  
IDDQ  
Operating  
Current  
IDD  
260  
20  
270  
20  
215  
15  
225  
15  
170  
15  
180  
15  
Output open  
IDDQ  
(x18)  
IDD  
200  
10  
210  
10  
175  
10  
185  
10  
160  
10  
170  
10  
Flow Through  
IDDQ  
ISB  
ISB  
IDD  
Pipeline  
Flow Through  
Pipeline  
40  
40  
85  
50  
50  
90  
40  
40  
75  
50  
50  
80  
40  
40  
60  
50  
50  
65  
mA  
mA  
mA  
Standby  
Current  
ZZ VDD – 0.2 V  
Device Deselected;  
All other inputs  
VIH or VIL  
Deselect  
Current  
IDD  
Flow Through  
60  
65  
50  
55  
50  
55  
mA  
Notes:  
1.  
2. All parameters listed are worst case scenario.  
I
and I  
apply to any combination of V , V , V  
, and V  
operation.  
DDQ2  
DD  
DDQ  
DD3 DD2 DDQ3  
Rev: 1.00 9/2004  
22/37  
© 2004, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.  
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