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GS74104TP-10 参数 Datasheet PDF下载

GS74104TP-10图片预览
型号: GS74104TP-10
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内容描述: 1M ×4 4Mb的异步SRAM [1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 410 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74104TP/J  
AC Characteristics  
Read Cycle  
-8  
-10  
-12  
-15  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min Max Min Max Min Max Min Max  
Read cycle time  
tRC  
tAA  
tAC  
tOE  
tOH  
8
3
8
10  
3
10  
10  
4
12  
3
12  
12  
5
15  
3
15  
15  
6
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
Chip enable access time (CE)  
Output enable to output valid (OE)  
Output hold from address change  
Chip enable to output in low Z (CE)  
8
3.5  
*
3
3
3
3
tLZ  
*
Output enable to output in low Z (OE)  
Chip disable to output in High Z (CE)  
Output disable to output in High Z (OE)  
0
4
0
5
0
6
0
---  
7
ns  
ns  
ns  
tOLZ  
*
tHZ  
*
3.5  
4
5
6
tOHZ  
* These parameters are sampled and are not 100% tested.  
Read Cycle 1: CE = OE = V , WE = V  
IL  
IH  
tRC  
Address  
Data Out  
tAA  
tOH  
Previous Data  
Data valid  
Rev: 1.07 1/2001  
6/12  
© 1999, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.