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GS74104TP-10 参数 Datasheet PDF下载

GS74104TP-10图片预览
型号: GS74104TP-10
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内容描述: 1M ×4 4Mb的异步SRAM [1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 410 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS74104TP/J  
Capacitance  
Parameter  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN = 0 V  
Max  
Unit  
pF  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
5
7
COUT  
VOUT = 0 V  
pF  
Notes:  
1. Tested at TA = 25°C, f = 1 MHz  
2. These parameters are sampled and are not 100% tested.  
DC I/O Pin Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Input Leakage  
Current  
VIN = 0 to VDD  
IIL  
– 1 uA  
–1 uA  
1 uA  
Output High Z  
VOUT = 0 to VDD  
Output Leakage  
Current  
ILO  
1 uA  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
VOH  
VOL  
IOH = –4mA  
ILO = +4mA  
2.4  
0.4 V  
Rev: 1.07 1/2001  
4/12  
© 1999, Giga Semiconductor, Inc.  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.