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GS70328TS-12IT 参数 Datasheet PDF下载

GS70328TS-12IT图片预览
型号: GS70328TS-12IT
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内容描述: 32K ×8 256Kb的SRAM的异步 [32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 232 K
品牌: GSI [ GSI TECHNOLOGY ]
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GS70328SJ/TS  
AC Characteristics  
Read Cycle  
-7  
-8  
-10  
-12  
-15  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
Read cycle time  
tRC  
tAA  
tAC  
tOE  
tOH  
7
2
7
8
2
8
10  
2
10  
10  
5
12  
3
12  
12  
6
15  
3
15  
15  
7
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
Chip enable access time (CE)  
Output enable to output valid (OE)  
Output hold from address change  
Chip enable to output in low Z (CE)  
7
8
3.5  
4
*
2
2
2
3
3
tLZ  
*
Output enable to output in low Z (OE)  
Chip disable to output in High Z (CE)  
Output disable to output in High Z (OE)  
0
3.5  
3
0
4
0
5
0
6
0
7
ns  
ns  
ns  
tOLZ  
*
tHZ  
*
3.5  
4
5
6
tOHZ  
* These parameters are sampled and are not 100% tested  
Read Cycle 1: CE = OE = V , WE = V  
IL  
IH  
tRC  
Address  
Data Out  
tAA  
tOH  
Previous Data  
Data valid  
Rev: 1.11 11/2004  
5/11  
© 1999, GSI Technology  
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.