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MBM29LV400TC-70PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29LV400TC-70PFTN图片预览
型号: MBM29LV400TC-70PFTN
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内容描述: 4M ( 512K ×8 / 256K ×16 )位 [4M (512K X 8/256K X 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 58 页 / 560 K
品牌: FUJITSU [ FUJITSU ]
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MBM29LV400TC-70/-90/-12/MBM29LV400BC-70/-90/-12  
3rd Bus Cycle  
Data Polling  
Addresses  
PA  
PA  
555H  
t WC  
t AS  
t AH  
WE  
t WS  
t WH  
OE  
CE  
t GHEL  
t CP  
t CPH  
t WHWH1  
t DS  
t DH  
A0H  
PD  
DQ 7  
D OUT  
Data  
Notes: 1. PA is address of the memory location to be programmed.  
2. PD is data to be programmed at byte address.  
3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.  
4. DOUT is the output of the data written to the device.  
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.  
6. These waveforms are for the ×16 mode. (The addresses differ from ×8 mode.)  
Figure 7 AC Waveforms for Alternate CE Controlled Program Operations  
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