TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
VCE = 2.0 V
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
100
70
50
30
1.2
0.8
10
7.0
5.0
0.5 0.7 1.0
0.03 0.05 0.07 0.1
0.3
IC ，集电极电流（ AMP ）
0.4
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
IB ，基极电流（毫安）
200
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
θ
VB的VBE
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
hFE/2
TJ = - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.02 0.03 0.05
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
R上，外部基极发射极电阻（欧姆）
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
µ
A)
102
101
100
10–1
10–2
VCE = 30 V
TJ = 150℃
107
IC = 10× ICES
IC
≈
冰
VCE = 30 V
106
105
104
103
102
20
100°C
反向
25°C
冰
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3 + 0.4 + 0.5 + 0.6
前锋
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
40
60
80
100
120
140
160
10–3
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
3–4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
