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TIP32C 参数 Datasheet PDF下载

TIP32C图片预览
型号: TIP32C
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内容描述: 功率晶体管互补硅 [POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 199 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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TIP31A TIP31B TIP31C TIP32A TIP32B TIP32C
R(T ) ,瞬态热阻(标准化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
单脉冲
0.02
0.05
1.0
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC (T )
= R(T )R
θJC
R
θJC
( T) = 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK )z
θJC (T )
2.0
5.0
吨,时间( ms)的
10
20
50
P( PK)
t1
t2
占空比D = T1 / T2
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
10
IC ,集电极电流( AMP )
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
二次击穿
LIMITED @ TJ
150°C
热极限@ TC = 25°C
(单脉冲)
焊线LIMIT
TIP31A , TIP32A
曲线适用
TIP31B , TIP32B
低于额定VCEO
TIP31C , TIP32C
1.0毫秒
100
µs
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于T J (峰) = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次,脉细数
限制是有效的占空比为10%的规定TJ ( PK)
150
_
C. TJ ( pk)的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下,热限制将重新
达斯可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
10
20
50
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
100
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
ts
1.0
T, TIME (
µ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
TF @ VCC = 30 V
300
IB1 = IB2
IC / IB = 10
ts
TS = - 1/8 TF
TJ = 25°C
TJ = + 25°C
200
电容(pF)
TF @ VCC = 10 V
100
CEB
70
50
建行
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
IC ,集电极电流( AMP )
2.0
3.0
30
0.1
0.2 0.3
10
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
VR ,反向电压(伏)
20 30 40
图6.开启,关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
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