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C3225JB2A105KT 参数 Datasheet PDF下载

C3225JB2A105KT图片预览
型号: C3225JB2A105KT
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内容描述: RF功率LDMOS晶体管高耐用性N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 23 页 / 857 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 100毫安
f
(兆赫)
1.8
(1)
27
40
81.36
88
98
108
144
175
230
352
500
Z
来源
()
34.4 + j192.0
(1)
12.5 + j7.00
5.75 + j5.06
4.04 + j5.93
2.20 + j6.70
2.30 + j6.90
2.30 + j7.00
1.60 + j5.00
1.33 + j3.90
1.29 + j3.54
0.98 + j1.45
0.29 + j1.47
Z
负载
()
5.00 - j4.00
(1)
7.00 + j0.70
5.39 + j2.62
4.89 + j2.95
4.90 + j2.90
4.10 + j2.50
4.40 + j3.60
3.90 + j1.50
3.50 + j2.50
2.12 + j2.68
1.82 + j2.05
1.79 + j1.80
1.模拟数据。
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
门门,均衡配置。
Z
负载
通过测量=测试电路的阻抗
排水地漏,均衡配置。
50
输入
匹配
+
设备
TEST
--
产量
匹配
50
--
Z
来源
+
Z
负载
优化IRL ,功率和效率图12.源和负载阻抗 - 推 -
-PULL
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
8
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司