典型特征
2000
P
OUT
，输出功率（dBm ）脉冲
1000
C
国际空间站
66
65
64
63
62
61
60
59
35
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 230 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
20 ％占空比
36
37
38
39
40
41
42
P3dB = 61.9 dBm的（ 1553 W）
P2DB = 61.7 dBm的（ 1472 W）
理想
C，电容（pF ）
100
C
OSS
的P1dB = 61.3 dBm的
(1333 W)
实际
10
C
RSS
1
测量
30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
P
in
输入功率（dBm ） PEAK
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏极 -
- 源电压
26
25
G
ps
，功率增益（分贝）
24
23
G
ps
22
21
D
20
100
1000
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
30
2000
50
40
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 230 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
20 ％占空比
90
80
D,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
G
ps
，功率增益（分贝）
70
60
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
0
图5.输出功率与输入功率
I
DQ
= 100 mA时， F = 230 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
20 ％占空比
50 V
40 V
35 V
V
DD
= 30 V
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
45 V
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
图6.功率增益和漏极效率
与输出功率
90
80
D,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
70
60
50
40
30
20
I
DQ
= 100 mA时， F = 230 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
20 ％占空比
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
V
DD
= 30 V
35 V
40 V
45 V
50 V
G
ps
，功率增益（分贝）
26
25
24
23
25_C
图7.功率增益与输出功率
--30_C
25_C
90
80
D
,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
T
C
= --30_C
85_C 70
60
50
22 G
ps
21
20
19
100
D
85_C
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 230 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
20 ％占空比
1000
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
40
30
20
2000
P
OUT
，输出功率（瓦） PEAK
图8.漏极效率与输出功率
图9.功率增益和漏极效率与
输出功率
MRFE6VP61K25HR6 MRFE6VP61K25HSR5 MRFE6VP61K25GSR5
6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
