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    C3225CH2A153JT 参数 Datasheet PDF下载

    C3225CH2A153JT图片预览
    型号： C3225CH2A153JT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 15 页 / 822 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第9页浏览型号C3225CH2A153JT的Datasheet PDF文件第10页  
    典型特征
    23
    22
    G
    ps
    ，功率增益（分贝）
    21
    20
    19
    18
    17
    16
    0
    50
    25 V
    V
    DD
    = 20 V
    100
    150
    200
    250
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦） CW
    30 V
    40 V
    35 V
    I
    DQ
    = 900毫安
    F = 450 MHz的
    300
    350
    400
    45 V
    50 V
    P
    OUT
    ，输出功率（dBm ）
    60
    25_C
    T
    C
    = --30_C
    85_C
    50
    45
    40
    35
    15
    V
    DD
    = 50伏直流
    I
    DQ
    = 900毫安
    F = 450 MHz的
    20
    25
    30
    35
    40
    55
    P
    in
    输入功率（dBm ）
    图10.功率增益与输出功率
    25
    24
    G
    ps
    ，功率增益（分贝）
    23
    22
    21
    20
    19
    18
    10
    85_C
    η
    D
    V
    DD
    = 50伏直流
    I
    DQ
    = 900毫安
    F = 450 MHz的
    100
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦） CW
    G
    ps
    T
    C
    = --30_C
    85_C
    25_C
    --30_C
    25_C
    80
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    500
    10
    5
    90
    η
    D,
    排水Ë FFI效率（ ％ ）
    10
    7
    10
    8
    图11.输出功率与输入功率
    平均无故障时间（小时）
    10
    6
    110
    130
    150
    170
    190
    210
    230
    250
    T
    J
    ，结温（ ° C）
    这上面的图显示以小时计算的平均无故障时间时，该设备
    在V操作
    DD
    = 50伏直流电，P
    OUT
    = 300 W和
    η
    D
    = 60%.
    MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择
    软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
    计算器按照产品。
    图12.功率增益和漏极效率
    与CW输出功率
    图13. MTTF与结温
    MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
    6
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司

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