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C3225CH2A153JT 参数 Datasheet PDF下载

C3225CH2A153JT图片预览
型号: C3225CH2A153JT
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET [RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 15 页 / 822 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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B3
V
供应
B1
V
BIAS
+
C1
C7
C4
C8
R1
L4
C13
RF
产量
L2
C9
C5
C2
C12
RF
输入
L1
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C20 Z10
C21
C22 Z11
C25
C26 Z12
C15
Z13
Z1
C11
Z2
Z3
Z4
C19
C16
C17
C18
DUT
L5
C14
L3
C10
C6
B2
C23
C24
C27
C28
C3
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.900 “× 0.082 ”微带
0.115 “× 0.170 ”微带
0.260 “× 0.170 ”微带
0.380 “× 0.170 ”微带
0.220 “× 0.220 ”微带
0.290 “× 0.630 ”微带
0.220 “× 0.630 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.380 “× 0.220 ”微带
0.040 “× 0.170 ”微带
0.315 “× 0.170 ”微带
0.230 “× 0.170 ”微带
0.390 “× 0.170 ”微带
0.680 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 , 0.030 “ ,
ε
r
= 2.55
图2. MRF6V4300NR1 ( NBR1 )测试电路原理图
表6. MRF6V4300NR1 ( NBR1 )测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2, B3
C1
C2, C3
C4, C5, C6, C7
C8, C9, C10
C11, C12, C13, C14, C15
C16
C17
C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26, C27, C28
L1
L2, L3
L4, L5
R1
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47
μF,
25 V ,钽电容器
22
μF,
50 V ,贴片电容
1
μF,
100 V,贴片电容
15 NF, 100 V,贴片电容
240 pF的,贴片电容
9.1 pF的,贴片电容
15 pF的,贴片电容
51 pF的,贴片电容
5.6 pF的,贴片电容
4.3 pF的,贴片电容
4.7 pF的,贴片电容
27 nH的电感器
47 nH的电感器
5打开, # 18 AWG电感,手上有伤口
10
Ω,
1/4 W,贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
T491B476M025AT
C5750JF1H226ZT
C3225JB2A105KT
C3225CH2A153JT
ATC100B241JT500XT
ATC100B9R1JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B510JT500XT
ATC100B5R6JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B4R7JT500XT
1812SMS--27NJLC
1812SMS--47NJLC
铜线
CRCW120610R1FKEA
日前,Vishay
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
基美
TDK
TDK
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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