典型特征
1000
C
国际空间站
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
C，电容（pF ）
22
21
20
19
18
17
50
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
η
D
G
ps
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
70
60
50
40
30
20
10
0
200
η
D,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
100
C
OSS
C
RSS
10
0
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫，V
GS
= 0伏
10
20
30
40
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
图4.电容与漏极 -
- 源电压
图5. CW功率增益和漏极效率
与输出功率（单
-ENDED
窄带测试电路）
25
I
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
56
55
P
OUT
，输出功率（dBm ）
54
53
52
51
50
49
48
47
--6
--5
P3dB = 51.28 dBm的（ 134.3 W）
P2DB = 51.06 dBm的（ 127.6 W）
理想
24
23
G
ps
，功率增益（分贝）
22
21
20
19
18
17
16
4
的P1dB = 50.7 dBm的（ 117.5 W）
实际
50 V
45 V
V
DD
= 40 V
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
P
OUT
，输出功率（瓦）
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
--4
--3
--2
--1
0
1
2
3
P
in
输入功率（dBm ）
图6.连续输出功率与输入功率
（单
-Ended窄带测试电路）
25
24
G
ps
，功率增益（分贝）
23
22
21
20
19
18
85_C
G
ps
T
C
= --30_C
图7. CW功率增益与输出功率
（单
-Ended窄带测试电路）
70
60
η
D,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
85_C
50
25_C
40
30
η
D
20
10
0
200
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 350 mA时， F = 860 MHz的
T
C
= --30_C
25_C
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
图8. CW功率增益和漏极效率
与输出功率与温度
（单
-Ended窄带测试电路）
MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
