飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP3091N
第1版， 12/2011
RF功率LDMOS晶体管
增强 - 模式横向的MOSFET
专为商业和工业的宽带应用
频率在470到860兆赫。设备适合于广播应用
应用程序。
•
典型性能（宽带参考电路） ： V
DD
= 50伏，
I
DQ
= 450毫安， 64 QAM ，输入信号PAR = 9.5 dB的0.01 ％的概率
在CCDF 。
P
OUT
(W)
18魅力。
f
（兆赫）
470
650
860
G
ps
（ dB）的
21.8
21.6
21.7
η
D
(%)
31.0
26.4
27.6
产量
信号PAR
（ dB）的
7.9
8.4
7.1
IMD
肩
（ DBC）
--27.8
--37.6
--30.4
MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1
MRF6VP3091NBR5
470-
-860兆赫， 90 W， 50 V
宽带
RF功率LDMOS晶体管
信号类型
DVB - T（ 8K OFDM ）
特点
•
能够处理10 ： 1 VSWR ，所有相位角， @ 50伏直流电， 860兆赫，
90瓦的连续输出功率
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
内部输入匹配的易用性
•
合格高达50伏的最大
DD
手术
•
优良的热稳定性
•
设备可用于单 - 端或在一个推 - 拉配置
•
集成ESD保护
•
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
•
225℃有能力塑料包装
•
在磁带和卷轴。 R1后缀= 500单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
R5后缀= 50单位，56个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6VP3091NR1(NR5)
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6VP3091NBR1(NBR5)
部分推挽
-PULL
门1
排水1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +115
--6.0, +10
--65到150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
门2
排水2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度76 ° C， 18瓦CW ， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
外壳温度80 ° C， 90瓦CW， 50伏直流电，我
DQ
= 350毫安， 860兆赫
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.79
0.82
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
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MRF6VP3091NR1
MRF6VP3091NR5 MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
