典型特征 - 860兆赫
1.06
1.05
1.04 1400毫安
1.03
10
I
DS （ Q）
= 100毫安
V
DD
= 50伏直流
I
DD
，漏极电流（ AMPS ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
--50
--25
0
25
50
75
100
0
2.1
2.2
2.3
2.4 2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3
3.1 3.2
3.3
V
DD
= 50伏直流
40 VDC
30伏直流
20伏直流
10 VDC
归V
GS （ Q）
1.02 1900毫安
1.01
2400毫安
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
T
C
，外壳温度（ ° C）
V
GS
，的栅 - 源电压（伏）
注意：
测定用绑在一起的晶体管的两侧。
图4.归V
GS
静态对比
外壳温度
图5.漏电流与栅
- 源电压
64
62
P
OUT
，输出功率（dBm ）
60
58
56
54
52
50
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 1400毫安， F = 860 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 10 ％
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
P3dB = 59.0 dBm的（ 794 W）
P2DB = 58.8 dBm的（ 759 W）
的P1dB = 58.4 dBm的（ 692 W）
实际
理想
1000
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
C
OSS
C，电容（pF ）
100
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
注意：
设备的每一侧分别测得。
P
in
输入功率（dBm ）
图6.电容与漏极 -
- 源电压
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
18
17
16
10
η
D
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 1400毫安
F = 860 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 10 ％
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
60
50
G
ps
40
30
20
10
0
1000
η
D,
排水Ë FFI效率（ ％ ）
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
