表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度74 ° C， 125瓦CW ， 50伏1400毫安， 860兆赫
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.19
(3)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 (2001--4000 V)
B（ 201--400 V）
四， （ >1000 V）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(4)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100 mA时）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(4)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 980
μAdc ）
门静态电压
(5)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 1400 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(4)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 20 ADC）
动态特性
(4)
反向传输电容
(6)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(6)
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(7)
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.49
79.9
264
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1.5
2.1
—
—
2.07
2.65
0.24
15.6
2.5
3.1
—
—
VDC
VDC
VDC
S
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
130
—
—
—
140
—
—
1
—
5
20
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(5)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 1400毫安，P
OUT
= 125瓦的魅力。 ， F = 860 MHz时，
DVB - T（ 8K OFDM）单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信号带宽@
±4
MHz偏移为4千赫的积分带宽。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18.0
29.0
—
—
19.3
30.0
--60.5
--12
21.0
—
--58.5
--9
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.用导热油脂的TIM （热界面材料）的性能通常通过0.05° C / W，由于增加的热接触降低
这种TIM的阻力。
4.设备的每一侧分别测得。
5.测量与制作设备推 - 拉配置。
6.部分内部输入匹配。
7.模电容值没有内部配套。
（续）
MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
