飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： AFT18S230S
第1版，二千○一十二分之十一
RF功率LDMOS晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
这50瓦特RF功率LDMOS晶体管是专门为蜂窝基站
应用领域涵盖了1805的频率范围为1880兆赫。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1800毫安， P
OUT
= 50瓦平均，输入信号PAR = 9.9分贝@ 0.01 ％
概率上的CCDF 。
频率
1805兆赫
1840兆赫
1880兆赫
G
ps
（ dB）的
18.9
19.1
19.0
D
(%)
32.0
32.0
32.0
PAR输出
（ dB）的
7.2
7.1
6.8
ACPR
（ DBC）
--35.0
--35.0
--34.0
IRL
（ dB）的
--19
--18
--11
AFT18S230SR3
1805-
-1880兆赫， 50瓦平均， 28 V
特点
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
专为数字预失真纠错系统
优化的Doherty应用
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位，44个毫米磁带宽度， 13英寸的卷轴。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 12 。
NI-
-780S-
-6
北卡罗来纳州1
6 VBW
RF
in
/V
GS
2
5 RF
OUT
/V
DS
北卡罗来纳州3
（ TOP VIEW ）
4 VBW
图1.引脚连接
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AFT18S230SR3
1
RF设备数据
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