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AFT18S230S 参数 Datasheet PDF下载

AFT18S230S图片预览
型号: AFT18S230S
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内容描述: 射频功率LDMOS Transitor [RF Power LDMOS Transitor]
分类和应用: 射频
文件页数/大小: 13 页 / 409 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 1800毫安,脉冲CW , 10
微秒(上) ,
10 %占空比
最大输出功率
f
(兆赫)
1805
1840
1880
Z
来源
()
0.80 - j3.40
1.10 - j3.70
1.40 - j4.10
Z
in
()
1.00 + j3.41
1.30 + j3.80
1.70 + j4.13
Z
负载(1)
()
1.09 - j2.10
1.20 - j2.30
1.11 - j2.30
最大
线性
增益(dB )
18.5
18.5
18.7
P1dB
( dBm的)
54.2
54.2
54.2
(W)
263
263
263
D
(%)
57.8
57.1
57.9
AM / PM
()
-10
-9
-10
( dBm的)
55.1
55.2
55.0
(W)
324
331
316
P3dB
D
(%)
59.9
61.1
59.5
AM / PM
()
-16
-16
-16
( 1 )负载阻抗,以获得最佳的P1dB功率。
Z
来源
=测量阻抗呈现给设备在包基准面的输入。
Z
in
=阻抗从门接触到地面测量。
Z
负载
=测量阻抗呈现给设备在包基准面的输出。
输入负载牵引
调谐器和测试
电路
Z
来源
Z
in
设备
TEST
Z
负载
输出负载牵引
调谐器和测试
电路
图8.负载牵引性能 - 最大的P1dB调整
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 1800毫安,脉冲CW , 10
微秒(上) ,
10 %占空比
最大漏极效率
f
(兆赫)
1805
1840
1880
Z
来源
()
0.80 - j3.40
1.10 - j3.70
1.40 - j4.10
Z
in
()
1.00 + j3.50
1.30 + j3.83
1.80 + j4.30
Z
负载(1)
()
1.90 - j0.50
1.90 - j0.90
1.50 - j1.10
最大
线性
增益(dB )
21.7
21.4
21.3
P1dB
( dBm的)
51.5
51.9
52.2
(W)
141
155
166
D
(%)
70.0
70.1
69.9
AM / PM
()
-17
-15
-17
( dBm的)
53.2
52.9
52.8
(W)
209
195
191
P3dB
D
(%)
71.9
72.8
71.2
AM / PM
()
-22
-24
-25
(1 )负载阻抗为最佳的P1dB效率。
Z
来源
=测量阻抗呈现给设备在包基准面的输入。
Z
in
=阻抗从门接触到地面测量。
Z
负载
=测量阻抗呈现给设备在包基准面的输出。
输入负载牵引
调谐器和测试
电路
Z
来源
Z
in
设备
TEST
Z
负载
输出负载牵引
调谐器和测试
电路
图9.负载牵引性能 - 最大漏极效率优化
AFT18S230SR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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