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908E621_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 908E621_12
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内容描述: 综合四半桥和三重高端嵌入式微控制器和LIN高端镜 [Integrated Quad Half bridge and Triple High Side Embedded MCU and LIN for High End Mirror]
分类和应用: 微控制器
文件页数/大小: 60 页 / 1180 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性(续)
所有特征仅用于模拟芯片。请参阅68HC908EY16数据表的单片机特点
芯片。特征条件9.0 V下注意
V
SUP
16 V, -40
°C
T
J
125
°C,
除非另有说明。典型值
指出反映的近似参数是指在T
A
= 25
°C
正常条件下,除非另有说明。
特征
系统复位和中断
低电压复位( LVR )
门槛
迟滞
低电压中断( LVI )
门槛
迟滞
高电压中断( HVI )
门槛
迟滞
高温中断( HTI )
阈值T
J
迟滞
高温复位( HTR )
阈值T
J
迟滞
稳压器
正常模式输出电压
I
OUT
= 60毫安, 7.5伏的< V
SUP
< 20 V
I
OUT
= 60 mA时, V
SUP
< 7.5 V和V
SUP
> 20 V
正常模式下的总输出电流
负载调节 - 我
OUT
= 60 mA时, V
SUP
= 9.0 V,T
J
= 125
°C
STOP模式下的输出电压
STOP模式下的总输出电流
V
DDRUN1
V
DDRUN2
I
逃脱
V
LR
V
DDSTOP
I
OUTSTOP
4.75
4.75
4.75
150
5.0
5.0
120
5.0
500
5.25
5.25
150
100
5.25
1100
mA
mV
V
μA
V
T
罗恩
T
IH
155
5.0
180
10.0
T
离子
T
IH
125
5.0
150
10.0
°C
V
HVION
V
HVI_HYS
20
0.5
24
1.5
°C
V
LVION
V
LVI_HYS
6.0
0.3
7.5
0.8
V
V
LVRON
V
LVR_HYS
3.8
50
4.2
4.65
300
V
mV
V
符号
典型值
最大
单位
笔记
11.此参数是通过过程监控保证,但未经生产测试。
12.规范与外部的低ESR陶瓷电容1.0
μF<
Ç < 4.7
μF
200毫欧
ESR
10
Ω.
它不建议使用
4.7以上的电容值
μF
13.当从正常切换到停止模式或从停止模式到正常模式下,输出电压可在输出电压发生变化
特定连接的阳离子。
908E621
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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