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    476KXM050M 参数 Datasheet PDF下载

    476KXM050M图片预览
    型号： 476KXM050M
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    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体电容器晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 19 页 / 1443 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第10页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第11页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第12页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第13页  
    Z
    来源
    F = 225 MHz的
    Z
    o
    = 10
    Ω
    Z
    负载
    F = 225 MHz的
    V
    DD
    = 50伏直流，我
    DQ
    = 2600毫安，P
    OUT
    = 125瓦的魅力。
    f
    兆赫
    225
    Z
    来源
    Ω
    1.42 + j8.09
    Z
    负载
    Ω
    4.45 + j1.16
    Z
    来源
    通过测量=测试电路的阻抗
    门门，均衡配置。
    Z
    负载
    通过测量=测试电路的阻抗
    排水地漏，均衡配置。
    输入
    匹配
    网
    +
    设备
    下
    TEST
    --
    产量
    匹配
    网
    --
    Z
    来源
    Z
    +
    负载
    图20.系列等效源和负载阻抗
    MRF6VP2600HR6
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司
    9

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