欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    476KXM050M 参数 Datasheet PDF下载

    476KXM050M图片预览
    型号： 476KXM050M
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
    分类和应用： 晶体电容器晶体管功率场效应晶体管射频
    文件页数/大小： 19 页 / 1443 K
    品牌： FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
     浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第4页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号476KXM050M的Datasheet PDF文件第9页  
    典型特征
    1000
    C
    国际空间站
    C，电容（pF ）
    C
    OSS
    100
    测量
    ±30
    MV（ RMS） AC @ 1兆赫
    V
    GS
    = 0伏
    I
    D
    ，漏极电流（ AMPS ）
    T
    J
    = 200_C
    T
    J
    = 150_C
    10
    T
    J
    = 175_C
    100
    10
    C
    RSS
    1
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    V
    DS
    ，漏 - 源极电压（伏）
    1
    1
    T
    C
    = 25_C
    10
    V
    DS
    ，漏 - 源极电压（伏）
    100
    注意：
    设备的每一侧分别测得。
    图4.电容与漏极 -
    - 源电压
    26.5
    26
    G
    ps
    ，功率增益（分贝）
    25.5
    25
    24.5
    24
    23.5
    23
    22.5
    10
    100
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦）脉冲
    V
    DD
    = 50伏直流，我
    DQ
    = 2600毫安
    F = 225 MHz的
    脉冲宽度= 100
    微秒
    占空比= 20 ％
    G
    ps
    80
    70
    η
    D,
    排水Ë FFI效率（ ％ ）
    P
    OUT
    ，输出功率（dBm ）
    60
    50
    η
    D
    40
    30
    20
    10
    0
    1000
    64
    注意：
    设备的每一侧分别测得。
    图5.直流安全工作区
    P3dB = 59.7 dBm的（ 938 W）
    62
    P2DB = 59.1 dBm的（ 827 W）
    60
    58
    56
    54
    52
    27
    的P1dB = 53.3 dBm的（ 670 W）
    理想
    实际
    V
    DD
    = 50伏直流，我
    DQ
    = 2600毫安， F = 225 MHz的
    脉冲宽度= 12
    微秒，
    占空比= 1 ％
    28
    29
    30
    31
    32
    33
    34
    35
    36
    37
    38
    P
    in
    输入功率（dBm ）
    图6.脉冲功率增益和漏极效率
    与输出功率
    26
    25
    G
    ps
    ，功率增益（分贝）
    50 V
    24
    23
    22
    21
    0
    40 V
    V
    DD
    = 50伏直流
    I
    DQ
    = 2600毫安
    F = 225 MHz的
    脉冲宽度= 100
    微秒
    占空比= 20 ％
    100
    200
    300
    35 V
    V
    DD
    = 30 V
    400
    500
    600
    700
    45 V
    G
    ps
    ，功率增益（分贝）
    28
    27
    26
    25
    24
    23
    22
    21
    10
    图7.脉冲CW输出功率与
    输入功率
    80
    T
    C
    = --30_C
    25_C
    85_C
    V
    DD
    = 50伏直流，我
    DQ
    = 2600毫安
    F = 225 MHz的
    脉冲宽度= 100
    微秒
    占空比= 20 ％
    η
    D
    G
    ps
    70
    60
    50
    40
    30
    20
    10
    1000
    η
    D,
    排水Ë FFI效率（ ％ ）
    100
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦）脉冲
    P
    OUT
    ，输出功率（瓦）脉冲
    图8.脉冲功率增益与
    输出功率
    图9.脉冲功率增益和漏极效率
    与输出功率
    MRF6VP2600HR6
    RF设备数据
    飞思卡尔半导体公司
    5

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6