电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性(续)
特征条件5.0 V下注意
≤
V
PWR
≤
28 V , - 40°C
≤
T
A
≤
125 ℃, GND = 0V ,除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件,除非另有说明。
特征
功率输出OUT1,OUT2
输出电阻
, I
负载
= 3.0 A
V
PWR
= 8.0 V,T
J
= 25
°
C
V
PWR
= 8.0 V,T
J
= 150
°
C
V
PWR
= 5.0 V ,T
J
= 150
°
C
输出电流调节阈值
T
J
& LT ;吨
FB
T
J
≥
T
FB
(折叠背地区 - 见
和
高侧短路检测阈值(短路到GND)
低压侧短路检测阈值(短路到VPWR )
输出漏电流
,输出关闭,V
PWR
= 28 V
V
OUT
=
V
PWR
V
OUT
=地面
输出MOSFET的体二极管正向电压降
I
OUT
= 3.0 A
过温关断
热限制
@
T
J
迟滞
@
T
J
电流折返在T
电流折返到热关断分离
高压侧电流检测反馈
反馈电流( FB引脚源电流)
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 300毫安
I
OUT
= 500毫安
I
OUT
= 1.5 A
I
OUT
= 3.0 A
I
OUT
= 6.0 A
状态标志
状态标志漏电流
V
SF
= 5.0 V
状态标志设置的电压
I
SF
= 300 µA
笔记
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
V
sFlow的
–
–
0.4
I
SFLEAK
–
–
5.0
V
μA
I
FB
0.0
0.0
0.35
2.86
5.71
11.43
–
270
0.775
3.57
7.14
14.29
50
750
1.56
4.28
8.57
17.15
μA
μA
mA
mA
mA
mA
T
LIM
T
HYS
T
FB
T
SEP
175
–
165
10
–
12
–
–
200
–
185
15
°C
°C
V
F
–
–
2.0
°C
I
SCH
I
SCL
I
OUTLEAK
–
–60
–
–
100
–
V
I
LIM
5.2
–
11
9.0
6.5
4.2
13
11
8.0
–
16
14
A
A
μA
R
DS ( ON)
–
–
–
120
–
–
–
225
325
A
mΩ
符号
民
典型值
最大
单位
此参数为设计保证。
输出导通电阻从输出端测量到VPWR ,并从输出到GND 。
通过输出D1或D2关断。
准确度超过20% ,从0.5更好地6.0 A.推荐的终端电阻值,R
FB
= 270
Ω.
状态标志输出为开漏输出,需要一个上拉电阻逻辑V
DD
.
状态标志漏电流测量状态标志和HIGH
不
设置的。
测量状态标志LOW状态标志设置电压和设定我
FS
= 300
μA.
从这个引脚允许的最大输出电流为
< | 500
μA
| 。最大允许的上拉电压< 7.0 V.
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模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司