电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性(续)
特征条件下V注意
CC
= 12 V, V
CC2
= 12 V ,C
CP
= 33 nF的, G_EN = 4.5 V,除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件,除非另有说明。
特征
电源电压
VCC静态电源电流
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 55 V
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 12 V
工作VCC电源电流
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V
V
CC
= 12 V和V
CC2
= 12 V
其他工作V
CC
电源电流为每个逻辑输入端子
活跃
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V
静态VCC2电源电流
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 12 V
V
G_EN
= 0 V和V
CC
= 28 V
工作VCC2电源电流
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V
V
CC
= 12 V和V
CC2
= 12 V
其他工作VCC2电源电流为每个逻辑输入端子
活跃
V
CC
= 55 V和V
CC2
= 28 V
欠压关断VCC
欠压关断VCC2
过压关断VCC
过压关断VCC2
产量
输出灌电阻(关闭)
IDISCHARGE LSS = 50 mA时, V
SRC_HS
= 0 V
输出源电阻(打开)
ICHARGE HSS = 50 mA时, V
CP_OUT
= 20 V
外部高边MOSFET通过GATE_HSn的充电电流
终奌站
最大电压(V
GATE_HS
- V
SRC_HS
)
INH =逻辑1 ,我
S
最大= 5.0毫安
笔记
6.逻辑输入端处于非活动状态(高阻) 。
7.
8.
9.
高频PWM ,荷兰国际集团(
»
20千赫的逻辑输入) ,将导致在设备内更大的功耗。必须小心,以
保持在封装的功率处理的评级。
该设备可能会出现在4.0 V和5.5 V.预测行为
SEE
对于充电电流的描述。
I
HSS负责
–
VMAX
–
–
18
100
200
V
R
DS
–
–
22
mA
R
DS
–
–
22
Ω
Ω
UV
UV2
OV
OV2
IV
CC2LOG
–
4.0
4.0
57
29.5
–
5.0
5.0
61
31
5.0
5.5
5.5
65
35
V
V
V
V
IV
CC2OP
–
–
–
–
12
9.0
mA
符号
民
典型值
最大
单位
IV
CCsleep
–
–
IV
CCOP
–
–
IV
CCLOG
–
–
5.0
2.2
0.7
–
–
–
–
10
10
µA
mA
mA
IV
CC2SLEEP
–
–
–
–
5.0
5.0
µA
mA
33883
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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