电气特性
静态电气特性
静态电气特性
表3.静态电气特性
特征条件下，指出-40 ° Ç
≤
T
A
≤
125°C ， 5.5 V
≤
V
IGNP
≤
24伏，除非另有说明。典型值反映
近似参数的意思是在T
A
= 25℃，在正常条件下，除非另有说明。
特征
电源输入
V
IGN
目前@ 5.5 V - 24 V ，V
DD
= 5.5 V
V
IGNP
目前@ 5.5 V - 24 V ，V
DD
= 5.5 V
V
IGNP
过压关断
V
IGNP
电压
V
DD
目前@ 5.5伏， 5.5 V
≤
V
IGNP
≤
24 V
V
DD
低电压复位电平
V
DD
一次性保险丝（逻辑电源）
输入/输出
输入电流在V
DD
= 5.5 V
LSEn ， HSEN ，PWM和MODEN = 3.0 V
输入阈值在V
DD
= 5.5 V
LSEn ， HSEN ，PWM和MODEN
V
SCRN
源检测电压
SRC1 ， SRC2 ， SRC3
比较器的输入偏移电压
比较器的输入偏置电流
比较器输入失调电流
共模电压
比较器差分输入电压
电荷泵电压V
IGN
V
IGNP
= 5.5 V，I
C
水库
= 1.0毫安
V
IGNP
= 9.0 V，I
C
水库
= 1.0毫安
V
IGNP
= 12 V，I
C
水库
= 5.0毫安
V
IGNP
= 24 V，I
C
水库
= 1.0毫安
V
IGNP
= 24 V，I
C
水库
= 5.0毫安
V
GDH
输出电压与GDHn在ON状态
V
IGNP
= 5.5 V，I
GDHn
= 1.0毫安
V
IGNP
= 12 V，I
GDHn
= 5.0毫安
V
IGNP
= 24 V，I
GDHn
= 5.0毫安
V
GDH
输出电压与GDHn在关闭状态
V
IGNP
= SRCn = 14 V，I
GDHn
= 1.0毫安
V
GDHn （
关闭
)
-1.0
0.6
1.0
V
GDHn （
on
)
- V
SRCN
4.0
4.0
4.5
5.2
9.0
11
18
18
18
V
V
INP （ OFFSET）
V
INP （ BIAS ）
I
INP （ OFFSET）
V
CMR
V
INPdiff
V
CRES
- V
IGNP
4.0
4.0
4.5
8.0
4.5
6.0
7.5
10
16
12
18
18
18
18
18
V
V
SCRN
-0.3
5.0
-500
-300
0
-V
DD
V
IGNP
14
-170
-3.0
–
–
24
20
500
300
V
DD
- 2.0
+V
DD
mV
nA
nA
V
DC
V
V
V
TH
1.0
2.0
3.0
V
I
IN
5.0
12
25
V
µA
I
IGN
I
IGNP
V
IGNP
SD
符号
民
典型值
最大
单位
–
–
25
5.5
–
2.5
7.0
0.2
–
33
–
1.8
3.2
–
1.0
100
36.5
24
4.0
4.0
–
mA
mA
V
V
mA
V
V
V
IGNP
I
VDD
V
DD （ RESET ）
–
笔记
4.逻辑输入LSEn ， HSEN ，PWM和MODEN具有内部20
µA
内部水槽。
5.通过设计和特性保证。未经生产测试。
6.电荷泵具有正的温度系数。因此，敏的发生在-40°C ，典型的在25 ℃，最高的为125°C 。
33395
6
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
