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2225X7R225KT3AB 参数 Datasheet PDF下载

2225X7R225KT3AB图片预览
型号: 2225X7R225KT3AB
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内容描述: 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET [RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管射频
文件页数/大小: 19 页 / 1443 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型(每JESD22 - A114 )
机器型号(每EIA / JESD22 - A115 )
充电器型号(每JESD22 - C101 )
2 (最小)
A(最小)
IV (最低)
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
(1)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏,V
GS
= 0伏)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏,V
GS
= 0伏)
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 800
μAdc )
门静态电压
(2)
(V
DD
= 50伏直流,我
D
= 2600 MADC ,测量功能测试)
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 2 ADC)
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏( RMS) AC @ 1 MHz时,V
GS
= 0伏)
输入电容
(V
DS
= 50伏,V
GS
= 0伏
±
30毫伏( RMS) AC @ 1兆赫)
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1.7
101
287
pF
pF
pF
V
GS ( TH)
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
1
1.5
1.65
2.7
0.25
3
3.5
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
DSS
110
10
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
典型值
最大
单位
功能测试
(2)
(飞思卡尔测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 2600毫安,P
OUT
。 = 125瓦的魅力, F = 225兆赫, DVB - T的
OFDM单通道。 ACPR测量在7.61 MHz信道带宽@
±4
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
G
ps
η
D
IRL
24
27
25
28.5
--61
--18
22
68
--15
27
--59
--9
dB
%
dBc的
dB
dB
%
dB
典型表现 - 352.2兆赫
(飞思卡尔352.2 MHz的测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 150毫安, P
OUT
= 600瓦CW
典型性能 - 88-
-108兆赫
(飞思卡尔88--108 MHz的测试夹具, 50欧姆系统)V
DD
= 50伏直流,我
DQ
= 150毫安, P
OUT
= 600 W
CW
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
IRL
24.5
74
--5
dB
%
dB
MRF6VP2600HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司