飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP2600H
修订版5.1 ， 7/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
主要用于宽带应用与频率高达500 MHz的设计。
设备是无法比拟的，适合于广播应用。
•
典型的DVB - T的OFDM性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 125瓦的魅力。 ， F = 225 MHz的信道带宽= 7.61 MHz时，
输入信号PAR =上CCDF 9.3分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 25分贝
漏极效率 - 28.5 ％
ACPR @ 4 MHz偏移 - --61 dBc的@ 4 kHz带宽
•
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 2600毫安，
P
OUT
= 600瓦峰值， F = 225兆赫，脉冲宽度= 100
微秒，
税
周期= 20％
功率增益 - 25.3分贝
漏极效率 - 59 ％
•
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 225兆赫， 600瓦峰值
功率，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
特点
•
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
•
CW作战能力具有足够的冷却
•
合格高达50伏的最大
DD
手术
•
集成ESD保护
•
专为推 - 拉运
•
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
•
符合RoHS
•
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP2600HR6
2-
-500兆赫， 600 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
部分是推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 〜+ 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度99 ° C， 125瓦CW ， 225兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 2600毫安
外壳温度64 ° C， 610 W¯¯ CW ， 352.2兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
外壳温度81 ° C， 610 W¯¯ CW ， 88--108兆赫， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.20
0.14
0.16
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
©
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6VP2600HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
