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100B180JP500X 参数 Datasheet PDF下载

100B180JP500X图片预览
型号: 100B180JP500X
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内容描述: N沟道增强模式横向的MOSFET [N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 928 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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Z
o
= 2
Ω
F = 490 MHz的
Z
负载
F = 490 MHz的
F = 440 MHz的
Z
来源
F = 440 MHz的
V
DD
= 28伏直流,我
DQ
= 1250毫安,P
OUT
= 28瓦的魅力。
f
兆赫
440
445
450
455
460
465
470
475
480
485
490
Z
来源
W
0.359 - j1.19
0.389 - j1.11
0.379 - j1.03
0.360 - j0.959
0.355 - j0.873
0.352 - j0.773
0.350 - j0.710
0.350 - j0.628
0.356 - j0.540
0.355 - j0.473
0.345 - j0.388
Z
负载
W
1.35 - j0.870
1.31 - j0.743
1.34 - j0.641
1.32 - j0.539
1.31 - j0.420
1.30 - j0.274
1.29 - j0.173
1.28 - j0.044
1.29 + j0.090
1.29 + j0.195
1.28 + j0.313
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
测量=测试电路的阻抗
从漏极到地。
输入
匹配
设备
TEST
产量
匹配
Z
来源
Z
负载
图13.系列等效源和负载阻抗 - 460 - 470兆赫
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
8
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司