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100B180JP500X 参数 Datasheet PDF下载

100B180JP500X图片预览
型号: 100B180JP500X
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内容描述: N沟道增强模式横向的MOSFET [N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 928 K
品牌: FREESCALE [ FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC ]
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典型特征 - 460 - 470兆赫
21.5
21
20.5
G
ps
,功率增益(分贝)
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
16.5
16
430
440
450
460
470
480
男,频率(MHz)
ALT1
η
D
V
DD
= 28伏直流电,P
OUT
= 28 W(平均)。
I
DQ
= 1250毫安,N -CDMA IS- 95
(先导,同步,寻呼,交通守则
8到13)的
ACPR
IRL
G
ps
38
35
32
29
26
−40
ACPR ( DBC) , ALT1 ( DBC)
−45
−50
−55
−60
−65
−70
490
η
D
,沥干
效率(%)
−1
−3
−5
−7
−9
−11
−13
η
D
,沥干
效率(%)
IRL ,输入回波损耗(分贝)
IRL ,输入回波损耗(分贝)
1250毫安
100
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
400
ACPR ( DBC) , ALT1 ( DBC)
1850毫安
−30
−35
−40
−45
950毫安
I
DQ
= 650毫安
−2
−4
−6
−8
−10
−12
−14
1550毫安
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
20.8
20.3
19.8
G
ps
,功率增益(分贝)
19.3
18.8
18.3
17.8
17.3
16.8
16.3
15.8
430
440
450
460
470
480
男,频率(MHz)
ALT1
IRL
η
D
V
DD
= 28伏直流电,P
OUT
= 56 W(平均)。
I
DQ
= 1250毫安,N -CDMA IS- 95
(先导,同步,寻呼,交通守则
8到13)的
ACPR
G
ps
55
50
45
40
35
−35
−40
−45
−50
−55
−60
490
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 56瓦的魅力。
23
IMD ,三阶
互调失真( DBC)
I
DQ
= 1850毫安
22
G
ps
,功率增益(分贝)
21
20
19
18
17
6
10
100
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
400
1550毫安
1250毫安
950毫安
650毫安
−10
−15
−20
−25
V
DD
= 28伏直流, F1 = 465兆赫, F2 = 467.5兆赫
双色测量, 2.5 MHz的音调间隔
V
DD
= 28伏直流, F1 = 465兆赫, F2 = 467.5兆赫
双色测量, 2.5 MHz的音调间隔
10
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S4140HR3 MRF5S4140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5